整流桥产品是由四只整流硅芯片作桥式连接,有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”,两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”,外用绝缘塑封而成。
肖特基整流桥产品是由4颗肖特基硅二极管桥式连接,有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”,两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”,外用绝缘朔料封装而成。
LOW VF整流桥产品是由四只低压降整流硅芯片作桥式连接,有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”,两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”,外用绝缘塑封而成。LOW VF即是正向压降极低的整流桥。
逆变桥是由四颗快恢复二极管整合一起,即将四颗芯片封装到一个支架上作桥式连接,有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是直流输出端的“正极”,两只二极管正极的连接点是直流输出端的“负极”,另两个引脚是交流输入端,外用绝缘塑料封装而成。
一种集成采样功能的整流桥,即通过采集电路中的输入电流,实现功率分配、电路保护。
开关桥是由四只高速开关二极管作桥式连接,有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”,两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”,外用绝缘塑封而成。
沃尔德高压肖特基二极管具有较低的VF值和极低的反向漏电流Ir,体现出良好的低温升特性。VRRM高达350V,电流从5A到40A全覆盖,能更好的满足高压输出电源的高效率、高可靠性的需求。
沃尔德 LOW VF肖特基二极管采用先进的Trench工艺,具有较低的VF值和极低的高温漏电流,能更好的满足电源产品的高效率,高可靠性的需求。
沃尔德LOW Trr超快恢复二极管具有极低的反向恢复时间Trr和极低的反向恢复电荷Qrr,并具有超快的开关速度,应用于硬开关条件下的PFC电路和高压高频电源的次级整流电路。
沃尔德开关二极管具有较快的恢复时间和高开关速度的特性,广泛应用于电源、音频、视频、无线通信、工业等领域。
瞬态抑制二极管,TVS。全系列产品都有。
抗静电器件,ESD。针对主流竞品,我司均有可替代产品,ESD类我司接受定制物料。
陶瓷气体放电管,GDT。全系列产品都有,目前正在开发超薄型产品。
氧化锌压敏电阻,MOV。我司只做贴片类产品SMD-MOV,以及复合功能型产品GMOV。
半导体放电管,TSS。全系列产品都有。
沃尔德SGT MOS 具有极低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ,并具有开关速度快等特点,能满足产品温升和效率的要求。
沃尔德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有强的EAS性能等特点,能满足产品高效和可靠的要求。
沃尔德Trench MOS 具有较低的RDs(on) 、Qg和Ciss ,开关速度快并具有强的EAS性能和抗短路性能等特点,能满足产品高效和可靠的要求。
沃尔德SJ(超结)MOS采用多层外延工艺,具有低RDS(on)、结电容小、Qg 小,易驱动、开关速度快的特点,使电源更容易实现高效率,高可靠性。
沃尔德碳化硅二极管具极小的反向恢复时间、高浪涌电流、高效可靠的特性,封装主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
沃尔德碳化硅mos管具有低RDS(on)高开关速度,高效可靠,封装TOLL、TO-247等
沃尔德吸收二极管具有较长的存储时间和较小的Irr,同时具有较长的平缓反向恢复特性,能平缓恢复电流,应用于电源的RCD吸收电路,从而使电源产品达到更好的EMI特性,满足电源产品高效率、高可靠性的需求。
通过优化二极管Ta/Tb(开通时间/关断时间)较软的恢复特性,大幅减少谐波振荡的发生,从而减少或者减小桥堆周边EMI抑制器件的使用或者使用规格,例如X电容,共模电感,差模电感等。
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