• 产品
    • 整流器件类
      • 桥堆
        • 软桥
          产品概述
          通过优化二极管Ta/Tb(开通时间/关断时间)较软的恢复特性，大幅减少谐波振荡的发生，从而减少或者减小桥堆周边EMI抑制器件的使用或者使用规格，例如X电容，共模电感，差模电感等。
          产品特点
          1
          改善EMI/EMC
          改善低频传导特性；降低AC输入线杂散电感；通过桥堆中整流二极管较平滑的恢复特性，抑制交流输入电压整流后造成的高频干扰。
          2
          节省BOM成本
          有效减少输入端共模电感与X电容的使用；由普通共模电感+X电容+差模电感改为π型滤波（CLC滤波），降低BOM成本。
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        • 普通桥
          产品概述

          整流桥产品是由四只整流硅芯片作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。

          产品特点
          1
          整流桥
          整流桥当中的整流，是通过二极管的单向导通性来完成工作；简单点说，二极管是单向的，它是正向导通和反向截止。二极管只允许电流单向通过，所以将其接入交流电路时，能使电路中的电流只按单向流动，即所谓“整流”。
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        • 肖特基桥
          产品概述

          肖特基整流桥产品是由4颗肖特基硅二极管桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘朔料封装而成。

          产品特点
          1
          肖特基整流桥
          肖特基整流桥，有更低的压降与更快的开关速度，在高频、低电压、大电流整流电路中有更低的温度表现与更好的效率提升。
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        • 低压降桥
          产品概述

          LOW VF整流桥产品是由四只低压降整流硅芯片作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。LOW VF即是正向压降极低的整流桥。

          产品特点
          1
          低压降桥
          所谓LOW VF整流桥是指正向压降低于普通整流桥的正向压降，根据热量计算公式 Q =I2Rt=Pt=UIt=U2t/R=I2Rt，电压越低，所发出的热量越小，相对应的有功功率就越高；所以，同功率电路应用中LOW VF整流桥的效率更高，热量更低。
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        • 逆变桥
          产品概述

          逆变桥是由四颗快恢复二极管整合一起，即将四颗芯片封装到一个支架上作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是直流输出端的“负极”，另两个引脚是交流输入端，外用绝缘塑料封装而成。

          产品特点
          1
          逆变桥
          逆变桥工作频率高（10KHz-70KHz）,PCBA面积小；反向恢复时间为75ns，反向恢复时间较短, 杂散电容相对较小，所以对EMI 改善有优势。
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        • 采样桥
          产品概述

          一种集成采样功能的整流桥，即通过采集电路中的输入电流，实现功率分配、电路保护。

          产品特点
          1
          较低的电阻温度系数，较宽的使用温度范围（480℃以下）
          具有较低的电阻温度系数，温漂小，输出功率相对稳定.精密电阻封装到整流桥内部，可以利用散热片对精密电阻散热，有效降低精密电阻温度，减少温升对电阻阻值的影响
          2
          简化PCB装配工序，降低装配成本，一致性高
          简化PCB装配工序，降低装配成本，性价比高；改善外置精密电阻安装工艺复杂、批量生产时电阻值一致性不好、不良率高的问题，提升功率一致性、稳定性。大批量生产时一致性高 。
          3
          减少干扰
          改善了精密电阻在线路板上跨接通过，主回路过长，导致干扰增加和采集精度偏差的问题
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        • 开关桥
          产品概述

          开关桥是由四只高速开关二极管作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。

          产品特点
          1
          开关桥
          开关桥有极低的正向压降与极高的开关速度，利用其极低的损耗和极快的开关速度，在电网监测、智能电表、仪器仪表等行业广泛应用。
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      • 肖特基
        • 普通肖特基
          产品概述

          沃尔德肖特基二极管采用先进的封装工艺，具有低正向压降的特点。电流涵盖了1A到60A，电压从40V到200V全覆盖，可以满足电源产品的高效率，高可靠性的需求。

          产品特点
          1
          低正向压降
          多种封装，满足各类电源需求
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        • 高压肖特基
          产品概述

          沃尔德高压肖特基二极管具有较低的VF值和极低的反向漏电流Ir，体现出良好的低温升特性。VRRM高达350V,电流从5A到40A全覆盖，能更好的满足高压输出电源的高效率、高可靠性的需求。

          产品特点
          1
          VF值
          较低的VF值
          2
          反向漏电流
          极低的反向漏电流Ir
          3
          封装
          多种封装，满足各类电源的需求
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        • 低压降肖特基
          产品概述

          沃尔德 LOW VF肖特基二极管采用先进的Trench工艺，具有较低的VF值和极低的高温漏电流，能更好的满足电源产品的高效率，高可靠性的需求。

          产品特点
          1
          VF值
          较低的VF值
          2
          漏电流
          极低的高温漏电流
          3
          封装
          多种封装，满足各类电源需求
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      • 快恢复
        • 普通快恢复
          产品概述

          沃尔德快恢复二极管采用先进的封装工艺，电压从100V到1700V，电流从1A到300A,反向恢复时间从16ns到500ns ,适用于PFC电路，高频高压电源等。

          产品特点
          1
          电压分布
          丰富的电压分布
          2
          封装形式
          多种封装形式，满足各类电源需求
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        • LOW Trr快恢复
          产品概述

          沃尔德LOW  Trr超快恢复二极管具有极低的反向恢复时间Trr和极低的反向恢复电荷Qrr，并具有超快的开关速度，应用于硬开关条件下的PFC电路和高压高频电源的次级整流电路。

          产品特点
          1
          TRR和QRR
          极低的Trr和Qrr，低漏电流。
          2
          速度
          超快的开关速度，减小开关损耗。
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        • LOW VF 快恢复
          产品概述

          沃尔德LOW VF快恢复二极管具有低的VF值、低漏电流，应用于PFC电路、高频高压电路、次级整流电路。

          产品特点
          1
          VF值和漏电流
          低VF值，低漏电流。
          2
          速度
          超快开关速度。
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        • 共阴共阳快恢复
          产品概述

          沃尔德共阴共阳快恢复二极管具有一致性好，低VF值、低Trr、低漏电流的特性，应用于高频桥式整流电路，正负压输出整流电路、高频高压大电流电路。

          产品特点
          1
          VF值及反向恢复时间
          低VF值，低反向恢复时间 。
          2
          漏电流
          低漏电流
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      • 开关管
        • 全系列
          产品概述

          沃尔德开关二极管具有较快的恢复时间和高开关速度的特性，广泛应用于电源、音频、视频、无线通信、工业等领域。

          产品特点
          1
          TRR
          较小的Trr (反向恢复时间）,开关速度快
          2
          封装体积
          封装小，体积小
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    • 保护器件类
      • TVS
        • TVS二极管
          产品概述

          瞬态抑制二极管，TVS。全系列产品都有。

          产品特点
          1
          TVS二极管
          1、TVS是一种高品质的突波吸收器，以二极管（伏安特性）并联在电路中。自然界的感应雷击、静电释放、电子装置的电流浪涌都是让现代电子系统面临严峻的考验。在电路中产生瞬态电压时，TVS利用雪崩原理，以P秒级的反应速度瞬间起到分流限压的作用，从而保护负载不被损坏。
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      • ESD
        • 静电抑制器
          产品概述

          抗静电器件，ESD。针对主流竞品，我司均有可替代产品，ESD类我司接受定制物料。

          产品特点
          1
          ESD
          ESD，(Transient Voltage Suppressor)（半导体）静电抑制器，小型化的TVS，与TVS有着一样的特性和工作方式。只是随着把内部芯片面积的减少，来获得了体积小，电容值小（电容和体积是成正比），封装方式多样的特点。主要应用于一些小型号的便携设备的防静电和抗小型脉冲群的处理。对于ESD TVS 多路防护的产品，也叫阵列产品(IC)。
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      • GDT
        • GDT
          产品概述

          陶瓷气体放电管，GDT。全系列产品都有，目前正在开发超薄型产品。

          产品特点
          1
          GDT
          GDT“陶瓷气体放电管”是一种陶瓷封装的、内充低压惰性气体的短路型保护器件，一般分二电极和三电极两种结构。 基本的工作原理是气体放电。当极间的电场强度超过气体的击穿强度时，就引起间隙放电，从而限制了极间的电压，使与放电管并联的其它器件得到保护。
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      • MOV
        • MOV
          产品概述

          氧化锌压敏电阻，MOV。我司只做贴片类产品SMD-MOV，以及复合功能型产品GMOV。

          产品特点
          1
          MOV
          MOV是一种以氧化锌为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻原件，所谓压敏，就是对电压敏感，当电压达到一定数值的时候，元件开始动作。
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      • TSS
        • TSS
          产品概述

          半导体放电管，TSS。全系列产品都有。

          产品特点
          1
          TSS
          TSS是一种PNPN组件,一个无门电极的自由电压控制的可控硅,当电压超过它的断态峰值电压(或称雪崩电压)时，半导体放电会将瞬态电压箝制到组件的开关电压(或称转折电压)值之内。电压继续增大时，半导体放电管由于负阻效应进入导通状态，只有在当电流小于维持电流时，组件才复位并恢复到它的高阻抗状态。
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    • 功率器件类
      • MOS
        • SGT MOS
          产品概述

          沃尔德SGT MOS 具有极低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ，并具有开关速度快等特点，能满足产品温升和效率的要求。

          产品特点
          1
          FOM值
          较低的FOM（RDs(on)*Qg)值
          2
          速度
          开关速度快
          3
          封装
          多种封装，满足各类电源需求
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        • Planar MOS
          产品概述

          沃尔德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有强的EAS性能等特点，能满足产品高效和可靠的要求。

          产品特点
          1
          RDs(on)
          低的RDs(on)和Ciss
          2
          EAS性能
          强的EAS性能
          3
          封装
          多种封装，满足各类电源需求
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        • Trench Mos
          产品概述

          沃尔德Trench MOS 具有较低的RDs(on) 、Qg和Ciss ，开关速度快并具有强的EAS性能和抗短路性能等特点，能满足产品高效和可靠的要求。

          产品特点
          1
          FOM值
          较低的FOM（RDs(on)*Qg)值。
          2
          EAS性能
          强的EAS性能
          3
          抗短路
          抗短路性能
          4
          封装
          多种封装，满足各类电源需求
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        • SJ(超结)MOS
          产品概述

          沃尔德SJ（超结）MOS采用多层外延工艺，具有低RDS（on）、结电容小、Qg 小，易驱动、开关速度快的特点，使电源更容易实现高效率，高可靠性。

          产品特点
          1
          RDS(ON)
          低RDS（on）（详细请看产品选型列表）
          2
          结电容
          结电容小、Qg小、易驱动
          3
          速度
          开关速度快
          4
          封装
          多种封装，满足各类电源需求
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    • 第三代半导体
      • SIC 二极管
        • 碳化硅二极管
          产品概述

          沃尔德碳化硅二极管具极小的反向恢复时间、高浪涌电流、高效可靠的特性，封装主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。

          产品特点
          1
          TRR
          极小的TRR
          2
          浪涌
          高浪涌电流
          3
          速度
          开关速度快
          4
          封装
          多种封装
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        • 碳化硅MOS管
          产品概述

          沃尔德碳化硅mos管具有低RDS（on）高开关速度，高效可靠，封装TOLL、TO-247等

          产品特点
          1
          RDS(on)
          低导通电阻（RDS（on））
          2
          速度
          高开关速度
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    • EMI改善
      • 吸收二极管
        • 30M-60M辐射
          产品概述

          沃尔德吸收二极管具有较长的存储时间和较小的Irr,同时具有较长的平缓反向恢复特性，能平缓恢复电流，应用于电源的RCD吸收电路，从而使电源产品达到更好的EMI特性，满足电源产品高效率、高可靠性的需求。

          产品特点
          1
          改善EMI
          SOD-123FL封装，降低空载损耗，对30MHZ~60MHZ的EMI辐射有改善。
          2
          提升效率
          10%负载时，提升转换效率2%~3%, 综合效率提升约0.8%
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      • 软桥
        • 9K-1M传导
          产品概述

          通过优化二极管Ta/Tb(开通时间/关断时间)较软的恢复特性，大幅减少谐波振荡的发生，从而减少或者减小桥堆周边EMI抑制器件的使用或者使用规格，例如X电容，共模电感，差模电感等。

          产品特点
          1
          1、改善EMI/EMC
          改善低频传导特性；降低AC输入线杂散电感；通过桥堆中整流二极管较平滑的恢复特性，抑制交流输入电压整流后造成的高频干扰。
          2
          2、节省BOM成本
          有效减少输入端共模电感与X电容的使用；由普通共模电感+X电容+差模电感改为π型滤波（CLC滤波），降低BOM成本。
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  • 应用领域
  • 技术创新
  • 技术社区
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质量和体系
可靠性实验 售后服务
可靠性实验
01
高温直流反向偏压测试（High Temperature Reverse Bias Test）
实验时机(计划) 试验周期(H) 取样数量(PCS)
新品研发 1000 77*3(依据AEC-Q101)
年度试验 1000 77
新物料确认 168 77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控 168 22
  • 实验类别：环境（温度）电应力复合验证
  • 实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向工作能力
  • 实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 实验设备：高温反偏试验系统
02
间歇寿命试验测试（Intermittent Operational Life）
实验时机(计划) 试验周期(H) 取样数量(PCS)
新品研发 1000 77*3(依据AEC-Q101)
年度试验 1000 77
新物料确认 168 77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控 168 22
  • 实验类别：环境（温度）电应力复合验证
  • 实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向工作能力
  • 实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 实验设备：高温反偏试验系统
03
工作寿命试验测试（Continuous Operation Test）
实验时机(计划) 试验周期(H) 取样数量(PCS)
新品研发 1000 77*3(依据AEC-Q101)
年度试验 1000 77
新物料确认 168 77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控 168 22
  • 实验类别：环境（温度）电应力复合验证
  • 实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向工作能力
  • 实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 实验设备：高温反偏试验系统
04
抗静电能力试验(ESD Test)
实验时机(计划) 试验周期(H) 取样数量(PCS)
新品研发 1000 77*3(依据AEC-Q101)
年度试验 1000 77
新物料确认 168 77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控 168 22
  • 实验类别：环境（温度）电应力复合验证
  • 实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向工作能力
  • 实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 实验设备：高温反偏试验系统
05
浪涌电流测试（Peak Forward Surge Current Test）
实验时机(计划) 试验周期(H) 取样数量(PCS)
新品研发 1000 77*3(依据AEC-Q101)
年度试验 1000 77
新物料确认 168 77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控 168 22
  • 实验类别：环境（温度）电应力复合验证
  • 实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向工作能力
  • 实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 实验设备：高温反偏试验系统
06
高温贮存试验（High Temperature Storage Test）
实验时机(计划) 试验周期(H) 取样数量(PCS)
新品研发 1000 77*3(依据AEC-Q101)
年度试验 1000 77
新物料确认 168 77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控 168 22
  • 实验类别：环境（温度）电应力复合验证
  • 实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向工作能力
  • 实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 实验设备：高温反偏试验系统
07
低温贮存试验（Low Temperature Storage Test）
实验时机(计划) 试验周期(H) 取样数量(PCS)
新品研发 1000 77*3(依据AEC-Q101)
年度试验 1000 77
新物料确认 168 77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控 168 22
  • 实验类别：环境（温度）电应力复合验证
  • 实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向工作能力
  • 实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 实验设备：高温反偏试验系统
08
恒温恒湿存储试验（Constant Temperature/Humidity Storage Test）
实验时机(计划) 试验周期(H) 取样数量(PCS)
新品研发 1000 77*3(依据AEC-Q101)
年度试验 1000 77
新物料确认 168 77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控 168 22
  • 实验类别：环境（温度）电应力复合验证
  • 实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向工作能力
  • 实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 实验设备：高温反偏试验系统
09
温度循环测试（Temperature Cycling Test）
实验时机(计划) 试验周期(H) 取样数量(PCS)
新品研发 1000 77*3(依据AEC-Q101)
年度试验 1000 77
新物料确认 168 77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控 168 22
  • 实验类别：环境（温度）电应力复合验证
  • 实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向工作能力
  • 实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 实验设备：高温反偏试验系统
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耐焊接热试验/可焊性试验（Solder Heat Resistance Test/ Solderability Test ）
实验时机(计划) 试验周期(H) 取样数量(PCS)
新品研发 1000 77*3(依据AEC-Q101)
年度试验 1000 77
新物料确认 168 77*3(依据AEC-Q101)
月度可靠性监控 168 22
  • 实验类别：环境（温度）电应力复合验证
  • 实验目的：验证产品在高温状态下芯片的反向工作能力
  • 实验参考标准： GB/T 4023、JESD22-A108
  • 实验条件： VR(VZ)=80%*VRMAX，TA=TJ±5℃
  • 实验设备：高温反偏试验系统
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