LED电源

产品
- 整流器件类
  - 桥堆
    
    软桥
    
    产品概述
    
    通过优化二极管Ta/Tb(开通时间/关断时间)较软的恢复特性，大幅减少谐波振荡的发生，从而减少或者减小桥堆周边EMI抑制器件的使用或者使用规格，例如X电容，共模电感，差模电感等。
    
    产品特点
    
    1
    
    改善EMI/EMC
    
    改善低频传导特性；降低AC输入线杂散电感；通过桥堆中整流二极管较平滑的恢复特性，抑制交流输入电压整流后造成的高频干扰。
    
    2
    
    节省BOM成本
    
    有效减少输入端共模电感与X电容的使用；由普通共模电感+X电容+差模电感改为π型滤波（CLC滤波），降低BOM成本。
    
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    普通桥
    
    产品概述
    
    整流桥产品是由四只整流硅芯片作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。
    
    产品特点
    
    1
    
    整流桥
    
    整流桥当中的整流，是通过二极管的单向导通性来完成工作；简单点说，二极管是单向的，它是正向导通和反向截止。二极管只允许电流单向通过，所以将其接入交流电路时，能使电路中的电流只按单向流动，即所谓“整流”。
    
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    肖特基桥
    
    产品概述
    
    肖特基整流桥产品是由4颗肖特基硅二极管桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘朔料封装而成。
    
    产品特点
    
    1
    
    肖特基整流桥
    
    肖特基整流桥，有更低的压降与更快的开关速度，在高频、低电压、大电流整流电路中有更低的温度表现与更好的效率提升。
    
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    低压降桥
    
    产品概述
    
    LOW VF整流桥产品是由四只低压降整流硅芯片作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。LOW VF即是正向压降极低的整流桥。
    
    产品特点
    
    1
    
    低压降桥
    
    所谓LOW VF整流桥是指正向压降低于普通整流桥的正向压降，根据热量计算公式 Q =I2Rt=Pt=UIt=U2t/R=I2Rt，电压越低，所发出的热量越小，相对应的有功功率就越高；所以，同功率电路应用中LOW VF整流桥的效率更高，热量更低。
    
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    逆变桥
    
    产品概述
    
    逆变桥是由四颗快恢复二极管整合一起，即将四颗芯片封装到一个支架上作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是直流输出端的“负极”，另两个引脚是交流输入端，外用绝缘塑料封装而成。
    
    产品特点
    
    1
    
    逆变桥
    
    逆变桥工作频率高（10KHz-70KHz）,PCBA面积小；反向恢复时间为75ns，反向恢复时间较短, 杂散电容相对较小，所以对EMI 改善有优势。
    
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    采样桥
    
    产品概述
    
    一种集成采样功能的整流桥，即通过采集电路中的输入电流，实现功率分配、电路保护。
    
    产品特点
    
    1
    
    较低的电阻温度系数，较宽的使用温度范围（480℃以下）
    
    具有较低的电阻温度系数，温漂小，输出功率相对稳定.精密电阻封装到整流桥内部，可以利用散热片对精密电阻散热，有效降低精密电阻温度，减少温升对电阻阻值的影响
    
    2
    
    简化PCB装配工序，降低装配成本，一致性高
    
    简化PCB装配工序，降低装配成本，性价比高；改善外置精密电阻安装工艺复杂、批量生产时电阻值一致性不好、不良率高的问题，提升功率一致性、稳定性。大批量生产时一致性高。
    
    3
    
    减少干扰
    
    改善了精密电阻在线路板上跨接通过，主回路过长，导致干扰增加和采集精度偏差的问题
    
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    开关桥
    
    产品概述
    
    开关桥是由四只高速开关二极管作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。
    
    产品特点
    
    1
    
    开关桥
    
    开关桥有极低的正向压降与极高的开关速度，利用其极低的损耗和极快的开关速度，在电网监测、智能电表、仪器仪表等行业广泛应用。
    
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  - 肖特基
    
    普通肖特基
    
    产品概述
    
    沃尔德肖特基二极管采用先进的封装工艺，具有低正向压降的特点。电流涵盖了1A到60A，电压从40V到200V全覆盖，可以满足电源产品的高效率，高可靠性的需求。
    
    产品特点
    
    1
    
    低正向压降
    
    多种封装，满足各类电源需求
    
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    高压肖特基
    
    产品概述
    
    沃尔德高压肖特基二极管具有较低的VF值和极低的反向漏电流Ir，体现出良好的低温升特性。VRRM高达350V,电流从5A到40A全覆盖，能更好的满足高压输出电源的高效率、高可靠性的需求。
    
    产品特点
    
    1
    
    VF值
    
    较低的VF值
    
    2
    
    反向漏电流
    
    极低的反向漏电流Ir
    
    3
    
    封装
    
    多种封装，满足各类电源的需求
    
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    低压降肖特基
    
    产品概述
    
    沃尔德 LOW VF肖特基二极管采用先进的Trench工艺，具有较低的VF值和极低的高温漏电流，能更好的满足电源产品的高效率，高可靠性的需求。
    
    产品特点
    
    1
    
    VF值
    
    较低的VF值
    
    2
    
    漏电流
    
    极低的高温漏电流
    
    3
    
    封装
    
    多种封装，满足各类电源需求
    
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  - 快恢复
    
    普通快恢复
    
    产品概述
    
    沃尔德快恢复二极管采用先进的封装工艺，电压从100V到1700V，电流从1A到300A,反向恢复时间从16ns到500ns ,适用于PFC电路，高频高压电源等。
    
    产品特点
    
    1
    
    电压分布
    
    丰富的电压分布
    
    2
    
    封装形式
    
    多种封装形式，满足各类电源需求
    
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    LOW Trr快恢复
    
    产品概述
    
    沃尔德LOW Trr超快恢复二极管具有极低的反向恢复时间Trr和极低的反向恢复电荷Qrr，并具有超快的开关速度，应用于硬开关条件下的PFC电路和高压高频电源的次级整流电路。
    
    产品特点
    
    1
    
    TRR和QRR
    
    极低的Trr和Qrr，低漏电流。
    
    2
    
    速度
    
    超快的开关速度，减小开关损耗。
    
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    LOW VF 快恢复
    
    产品概述
    
    沃尔德LOW VF快恢复二极管具有低的VF值、低漏电流，应用于PFC电路、高频高压电路、次级整流电路。
    
    产品特点
    
    1
    
    VF值和漏电流
    
    低VF值，低漏电流。
    
    2
    
    速度
    
    超快开关速度。
    
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    共阴共阳快恢复
    
    产品概述
    
    沃尔德共阴共阳快恢复二极管具有一致性好，低VF值、低Trr、低漏电流的特性，应用于高频桥式整流电路，正负压输出整流电路、高频高压大电流电路。
    
    产品特点
    
    1
    
    VF值及反向恢复时间
    
    低VF值，低反向恢复时间。
    
    2
    
    漏电流
    
    低漏电流
    
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  - 开关管
    
    全系列
    
    产品概述
    
    沃尔德开关二极管具有较快的恢复时间和高开关速度的特性，广泛应用于电源、音频、视频、无线通信、工业等领域。
    
    产品特点
    
    1
    
    TRR
    
    较小的Trr (反向恢复时间）,开关速度快
    
    2
    
    封装体积
    
    封装小，体积小
    
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- 保护器件类
  - TVS
    
    TVS二极管
    
    产品概述
    
    瞬态抑制二极管，TVS。全系列产品都有。
    
    产品特点
    
    1
    
    TVS二极管
    
    1、TVS是一种高品质的突波吸收器，以二极管（伏安特性）并联在电路中。自然界的感应雷击、静电释放、电子装置的电流浪涌都是让现代电子系统面临严峻的考验。在电路中产生瞬态电压时，TVS利用雪崩原理，以P秒级的反应速度瞬间起到分流限压的作用，从而保护负载不被损坏。
    
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  - ESD
    
    静电抑制器
    
    产品概述
    
    抗静电器件，ESD。针对主流竞品，我司均有可替代产品，ESD类我司接受定制物料。
    
    产品特点
    
    1
    
    ESD
    
    ESD，(Transient Voltage Suppressor)（半导体）静电抑制器，小型化的TVS，与TVS有着一样的特性和工作方式。只是随着把内部芯片面积的减少，来获得了体积小，电容值小（电容和体积是成正比），封装方式多样的特点。主要应用于一些小型号的便携设备的防静电和抗小型脉冲群的处理。对于ESD TVS 多路防护的产品，也叫阵列产品(IC)。
    
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  - GDT
    
    GDT
    
    产品概述
    
    陶瓷气体放电管，GDT。全系列产品都有，目前正在开发超薄型产品。
    
    产品特点
    
    1
    
    GDT
    
    GDT“陶瓷气体放电管”是一种陶瓷封装的、内充低压惰性气体的短路型保护器件，一般分二电极和三电极两种结构。基本的工作原理是气体放电。当极间的电场强度超过气体的击穿强度时，就引起间隙放电，从而限制了极间的电压，使与放电管并联的其它器件得到保护。
    
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  - MOV
    
    MOV
    
    产品概述
    
    氧化锌压敏电阻，MOV。我司只做贴片类产品SMD-MOV，以及复合功能型产品GMOV。
    
    产品特点
    
    1
    
    MOV
    
    MOV是一种以氧化锌为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻原件，所谓压敏，就是对电压敏感，当电压达到一定数值的时候，元件开始动作。
    
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  - TSS
    
    TSS
    
    产品概述
    
    半导体放电管，TSS。全系列产品都有。
    
    产品特点
    
    1
    
    TSS
    
    TSS是一种PNPN组件,一个无门电极的自由电压控制的可控硅,当电压超过它的断态峰值电压(或称雪崩电压)时，半导体放电会将瞬态电压箝制到组件的开关电压(或称转折电压)值之内。电压继续增大时，半导体放电管由于负阻效应进入导通状态，只有在当电流小于维持电流时，组件才复位并恢复到它的高阻抗状态。
    
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- 功率器件类
  - MOS
    
    SGT MOS
    
    产品概述
    
    沃尔德SGT MOS 具有极低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ，并具有开关速度快等特点，能满足产品温升和效率的要求。
    
    产品特点
    
    1
    
    FOM值
    
    较低的FOM（RDs(on)*Qg)值
    
    2
    
    速度
    
    开关速度快
    
    3
    
    封装
    
    多种封装，满足各类电源需求
    
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    Planar MOS
    
    产品概述
    
    沃尔德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有强的EAS性能等特点，能满足产品高效和可靠的要求。
    
    产品特点
    
    1
    
    RDs(on)
    
    低的RDs(on)和Ciss
    
    2
    
    EAS性能
    
    强的EAS性能
    
    3
    
    封装
    
    多种封装，满足各类电源需求
    
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    Trench Mos
    
    产品概述
    
    沃尔德Trench MOS 具有较低的RDs(on) 、Qg和Ciss ，开关速度快并具有强的EAS性能和抗短路性能等特点，能满足产品高效和可靠的要求。
    
    产品特点
    
    1
    
    FOM值
    
    较低的FOM（RDs(on)*Qg)值。
    
    2
    
    EAS性能
    
    强的EAS性能
    
    3
    
    抗短路
    
    抗短路性能
    
    4
    
    封装
    
    多种封装，满足各类电源需求
    
    查看更多
    
    SJ(超结)MOS
    
    产品概述
    
    沃尔德SJ（超结）MOS采用多层外延工艺，具有低RDS（on）、结电容小、Qg 小，易驱动、开关速度快的特点，使电源更容易实现高效率，高可靠性。
    
    产品特点
    
    1
    
    RDS(ON)
    
    低RDS（on）（详细请看产品选型列表）
    
    2
    
    结电容
    
    结电容小、Qg小、易驱动
    
    3
    
    速度
    
    开关速度快
    
    4
    
    封装
    
    多种封装，满足各类电源需求
    
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- 第三代半导体
  - SIC 二极管
    
    碳化硅二极管
    
    产品概述
    
    沃尔德碳化硅二极管具极小的反向恢复时间、高浪涌电流、高效可靠的特性，封装主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
    
    产品特点
    
    1
    
    TRR
    
    极小的TRR
    
    2
    
    浪涌
    
    高浪涌电流
    
    3
    
    速度
    
    开关速度快
    
    4
    
    封装
    
    多种封装
    
    查看更多
    
    碳化硅MOS管
    
    产品概述
    
    沃尔德碳化硅mos管具有低RDS（on）高开关速度，高效可靠，封装TOLL、TO-247等
    
    产品特点
    
    1
    
    RDS(on)
    
    低导通电阻（RDS（on））
    
    2
    
    速度
    
    高开关速度
    
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- EMI改善
  - 吸收二极管
    
    30M-60M辐射
    
    产品概述
    
    沃尔德吸收二极管具有较长的存储时间和较小的Irr,同时具有较长的平缓反向恢复特性，能平缓恢复电流，应用于电源的RCD吸收电路，从而使电源产品达到更好的EMI特性，满足电源产品高效率、高可靠性的需求。
    
    产品特点
    
    1
    
    改善EMI
    
    SOD-123FL封装，降低空载损耗，对30MHZ~60MHZ的EMI辐射有改善。
    
    2
    
    提升效率
    
    10%负载时，提升转换效率2%~3%, 综合效率提升约0.8%
    
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  - 软桥
    
    9K-1M传导
    
    产品概述
    
    通过优化二极管Ta/Tb(开通时间/关断时间)较软的恢复特性，大幅减少谐波振荡的发生，从而减少或者减小桥堆周边EMI抑制器件的使用或者使用规格，例如X电容，共模电感，差模电感等。
    
    产品特点
    
    1
    
    1、改善EMI/EMC
    
    改善低频传导特性；降低AC输入线杂散电感；通过桥堆中整流二极管较平滑的恢复特性，抑制交流输入电压整流后造成的高频干扰。
    
    2
    
    2、节省BOM成本
    
    有效减少输入端共模电感与X电容的使用；由普通共模电感+X电容+差模电感改为π型滤波（CLC滤波），降低BOM成本。
    
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LED电源

应用概述

LED主要应用于各种需要照明光源的领域，在照明行业的LED灯具驱动应用中，采用两级隔离高PF无频闪，高效节能和高可靠性的LED驱动电源成为主流应用方案。沃尔德的软桥、LOW VF桥、超快恢复二极管、高压肖特基二极管能满足用户对高性能LED驱动电源的不同需求。

电路原理图

方案1：PFC+FLYBACK

器件选型

功率 Power	桥堆BD1 Bridge Stack BD1	PFC二极管D1 PFC Diode	旁路二极管D2 Bypass Diode D2	次级整流二极管D5 Secondary Rectifier Diode D5	备注 Remarks
40W	WRMSB30M	ES2JB	S1J	TSA8L300	Output Voltage<45V
60W	WRMSB40M	ES2JB	S1J	TSP10L300D	Output Voltage<45V
75W	WRGBU610	ES3JB	S1J	TSR16L300CT	Output Voltage<45V
100W	WRGBU810	MUR460	S2JB	TSR20L300CT	Output Voltage<45V

注：输出电压高于45V，D5可以采用沃尔德超快恢复二极管MUR1040CT/MUR1640CT/MUR1060CT/MUR1660CT

方案2：PFC+LLC+SR同步整流

器件选型

功率 Power	桥堆BD1 Bridge Stack	PFC二极管D1 PFC diode D1	旁路二极管D2 Bypass Diode D2
150W	GBU8V06	MUR860ACT	S2JB
200W	GBU1006L	MUR860ACT	S3JB
240W	GBU1506L	MUR1060ACF	S3JB
300W	GBU2506L	MURE1560ACT	S5JSP

注：桥堆采用LOW VF桥。输出电压高的，可以将Q5 Q6同步整流MOS换成高压肖特二极管或超快恢复二极管

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